SiC 及IGBT 动态斩波双脉冲测试实验及其注意事项
详细了解IGBT各项参数，如Eon, Eoff, Tdon, Tdoff, Tr, Tf，芯片开关特性等，此项测试的意义是验证datasheet中各项参数值以及对不同模块的性能评估。
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SiC双脉冲测试最佳选择之光隔离探头典型应用
众所周知，双脉冲测试是目前了解SiC动态参数特性的最佳手段。而光隔离探头又是测量VGS的最佳选择。特别是在测量上管VGS时，挑战最大。 现阶段SiC MOSFET器件的Vgs(th)大部分在2-3V内，加上其开关速度快、工作电压高，其误导通的风险往往比Si MOSFET和IGBT更高，需要引起足够的重视。
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双脉冲动态测试系统中，探头应该如何选择？
双脉冲测试是评估功率半导体器件动态特性的重要手段，包括MOSFET、IGBT等。拥有一套双脉冲测试平台是获得正确评估结果的第一步，除了基础设备测试板、电源、信号发生器、电感、示波器等，本文重点介绍探头部分，看完可以对探头选型有一个清晰的认识。
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SiC 及IGBT 动态斩波双脉冲测试实验及其注意事项
解IGBT各项参数，如Eon, Eoff, Tdon, Tdoff, Tr, Tf，芯片开关特性等，此项测试的意义是验证datasheet中各项参数值以及对不同模块的性能评估。
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