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Sapphire台湾三华科技高压差分探头SI9110差模电压140V/1400V 高频100M

Sapphire台湾三华科技高压差分探头SI9110差模电压140V/1400V 高频100M

Sapphire台湾三华科技高压差分探头SI9110差模电压140V/1400V 高频100M

品牌:SAPPHIRE 台湾三华

产地:中国台湾省

SI9110:差模电压140V/1400V;高频100M,高性能经典款高压差分探头

Sapphire台湾三华科技高压差分探头SI9101(70V/700V)高频100M

Sapphire台湾三华科技高压差分探头SI9101(70V/700V)高频100M

Sapphire台湾三华科技高压差分探头SI9101(70V/700V)高频100M

品牌:SAPPHIRE 台湾三华

产地:中国台湾省

SI9101:差模电压70V/700V;高频100M,高性能经典款高压差分探头

North star 北极星VD系列【特种】超高电压探头

North star 北极星VD系列【特种】超高电压探头

North star 北极星VD系列【特种】超高电压探头

品牌:Northstar 美国

产地:美国

品牌NorthStar产地美国North Star VD 系列探头的裸露版本已升级,可以节省空间安装到油(或SF6)油箱中。这些探头与VD系列探头相似,但精度较低,成本也较低。安装这些探针时,需要有关

PMK 耐高温低温电压探头ENVI@PUHT 835-312-U01无源被动探头 -55℃~200℃ 高频500M/1250Vpk

PMK 耐高温低温电压探头ENVI@PUHT 835-312-U01无源被动探头 -55℃~200℃ 高频500M/1250Vpk

PMK 耐高温低温电压探头ENVI@PUHT 835-312-U01无源被动探头 -55℃~200℃ 高频500M/1250Vpk

品牌:PMK 德国

产地:德国

ENVI® 无源探头非常适合环境测试、恶劣环境以及 -55°C 至 +155°C 气候室中的测量。835-312-U01 PUHT: -55°C to 200°C

Cybertek 知用 无源高压探头HP6603 高压60KV DC+ACpk,高频50MHz

Cybertek 知用 无源高压探头HP6603 高压60KV DC+ACpk,高频50MHz

Cybertek 知用 无源高压探头HP6603 高压60KV DC+ACpk,高频50MHz

品牌:Cybertek 知用

产地:中国

HP6603 是一款高压无源电压探头。该探头具备 2000 倍的衰减比,最高可测量 80kV 的脉冲信号,60kV 的直流信号,带宽最高可达 50MHz,能够满足大部分高压测量的需求。

日本JC功率器件测试座GD21-R2PAK-K-S141X146-FL半导体SiC/GaN MOSFET测试安装夹具 动态/静态参数精确评估 适用于R2PAK封装

日本JC功率器件测试座GD21-R2PAK-K-S141X146-FL半导体SiC/GaN MOSFET测试安装夹具 动态/静态参数精确评估 适用于R2PAK封装

日本JC功率器件测试座GD21-R2PAK-K-S141X146-FL半导体SiC/GaN MOSFET测试安装夹具 动态/静态参数精确评估 适用于R2PAK封装

品牌:JC日本

产地:日本

表面贴装功率器件测试插座:SiC/GaN 时代的高低温、高可靠,高电压,大电流,低电感。我们提供与引起行业关注的新型表面贴装封装兼容的各种测试插座,例如 TOLL、QDPAK、R2PAK 和HU3PA

日本JC功率器件测试座GD21-TOLT-K-S103X101-FL半导体SiC/GaN MOSFET测试安装夹具 动态/静态参数精确评估 适用于TOLT封装

日本JC功率器件测试座GD21-TOLT-K-S103X101-FL半导体SiC/GaN MOSFET测试安装夹具 动态/静态参数精确评估 适用于TOLT封装

日本JC功率器件测试座GD21-TOLT-K-S103X101-FL半导体SiC/GaN MOSFET测试安装夹具 动态/静态参数精确评估 适用于TOLT封装

品牌:JC日本

产地:日本

表面贴装功率器件测试插座:SiC/GaN 时代的高低温、高可靠,高电压,大电流,低电感。我们提供与引起行业关注的新型表面贴装封装兼容的各种测试插座,例如 TOLL、QDPAK、R2PAK 和HU3PA

日本JC功率器件测试座GD26-QDPAK-K-S151X155半导体SiC/GaN MOSFET测试安装夹具 动态/静态参数精确评估 适用于QDPAK封装

日本JC功率器件测试座GD26-QDPAK-K-S151X155半导体SiC/GaN MOSFET测试安装夹具 动态/静态参数精确评估 适用于QDPAK封装

日本JC功率器件测试座GD26-QDPAK-K-S151X155半导体SiC/GaN MOSFET测试安装夹具 动态/静态参数精确评估 适用于QDPAK封装

品牌:JC日本

产地:日本

表面贴装功率器件测试插座:SiC/GaN 时代的高低温、高可靠,高电压,大电流,低电感。我们提供与引起行业关注的新型表面贴装封装兼容的各种测试插座,例如 TOLL、QDPAK、R2PAK 和HU3PA

日本JC功率器件测试座GD21-HU3PAK-K-S141X142-FL 半导体SiC/GaN MOSFET测试安装夹具 动态/静态参数精确评估 适用于HU3PAK封装

日本JC功率器件测试座GD21-HU3PAK-K-S141X142-FL 半导体SiC/GaN MOSFET测试安装夹具 动态/静态参数精确评估 适用于HU3PAK封装

日本JC功率器件测试座GD21-HU3PAK-K-S141X142-FL 半导体SiC/GaN MOSFET测试安装夹具 动态/静态参数精确评估 适用于HU3PAK封装

品牌:JC日本

产地:日本

表面贴装功率器件测试插座:SiC/GaN 时代的高低温、高可靠,高电压,大电流,低电感。我们提供与引起行业关注的新型表面贴装封装兼容的各种测试插座,例如 TOLL、QDPAK、R2PAK 和HU3PA

日本JC功率器件测试座GD18-TO252-K-755 半导体SiC/GaN MOSFET测试安装夹具 动态/静态参数精确评估 适用于TO252封装

日本JC功率器件测试座GD18-TO252-K-755 半导体SiC/GaN MOSFET测试安装夹具 动态/静态参数精确评估 适用于TO252封装

日本JC功率器件测试座GD18-TO252-K-755 半导体SiC/GaN MOSFET测试安装夹具 动态/静态参数精确评估 适用于TO252封装

品牌:JC日本

产地:日本

表面贴装功率器件测试插座:SiC/GaN 时代的高低温、高可靠,高电压,大电流,低电感。我们提供与引起行业关注的新型表面贴装封装兼容的各种测试插座,例如 TOLL、QDPAK、R2PAK 和HU3PA

KEYSIGHT是德科技光隔离探头PS0008A 高频1GHz高压2500V 双脉冲动态测试电压测量

KEYSIGHT是德科技光隔离探头PS0008A 高频1GHz高压2500V 双脉冲动态测试电压测量

KEYSIGHT是德科技光隔离探头PS0008A 高频1GHz高压2500V 双脉冲动态测试电压测量

品牌:KEYSIGHT 美国

产地:美国

光学隔离差分探针 通过电隔离电压探头,可以将待测器件(DUT)与示波器和接地地面隔离开来,从而进行更安全、更准确的测量。这类探头的共模抑制比(CMRR)非常高,这对于在浮置节点存在较大共模电压的情况

KEYSIGHT是德科技光隔离探头PS0006A 高频700M高压2500V 双脉冲动态测试电压测量

KEYSIGHT是德科技光隔离探头PS0006A 高频700M高压2500V 双脉冲动态测试电压测量

KEYSIGHT是德科技光隔离探头PS0006A 高频700M高压2500V 双脉冲动态测试电压测量

品牌:KEYSIGHT 美国

产地:美国

光学隔离差分探针 通过电隔离电压探头,可以将待测器件(DUT)与示波器和接地地面隔离开来,从而进行更安全、更准确的测量。这类探头的共模抑制比(CMRR)非常高,这对于在浮置节点存在较大共模电压的情况

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