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SI Sapphire Instruments

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SI-200
  • SI-200

SI-200

Brand: Sapphire Instruments

Origin: Taiwan, China

SI-200 是 Sapphire 三华科技高频低压有源差分探头，带宽 DC~200MHz（-3dB），上升时间 1.75ns，衰减比 1/10，直流精度 ±1%。最大差模 ±20V（DC+峰值 AC），共模 ±60V（DC+峰值 AC），绝对最大 60Vrms。输入阻抗 500kΩ//7pF（每端对地），输出 ±2V（50Ω 负载）、源阻抗 50Ω，共模抑制比 -80dB@60Hz、-50dB@10MHz，本底噪声 0.3mVrms，重 200g，BNC 线长 120cm。可由适配器或 9V 电池供电。
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Sapphire 9101 High-Voltage Differential Probe Datasheet.pdf Sapphire 9101 High-Voltage Differential Probe Datasheet.pdf
Overview

Sapphire SI-200 低压有源差分探头，DC~DC~200 MHz (-3dB)，1/10 衰减，最大差模 ±20 V (DC+peak AC)，共模 ±60 V (DC+peak AC)，输入阻抗 5，精度 ±1 %。

优势应用：GaN/SiC 栅极驱动、高速数字差分信号、USB/HDMI 一致性；200MHz 带宽 + 0.3mVrms 低噪声

资料来源：(P2) 原厂规格书 Spec_ SI-200.pdf（本地 SAPPHIRE 目录）

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Specifications
指标名称 数值
型号 SI-200
类型 高频低压有源差分探头（需供电）
带宽 DC ~ 200MHz (-3dB)
上升时间 1.75ns
衰减比 1/10
直流精度 ±1%
输入阻抗 500kΩ // 7pF（每端对地）
最大差模电压 ±20V（DC+峰值 AC）
最大共模电压 ±60V（DC+峰值 AC）
绝对最大电压 60Vrms 与 ±60V（DC+峰值 AC）（任一输入端对地）
输出电压摆幅 ±2V（50Ω 负载）
输出偏移（典型）
输出源阻抗 50Ω
本底噪声（典型） 0.3mVrms
共模抑制比（典型） -80dB @60Hz；-50dB @10MHz
供电方式 电源适配器（5VDC/300mA 或 9VDC/200mA）或 9V 电池
BNC 线长 120cm
外形尺寸 111 × 22 × 14 mm
重量 200g
工作温度 -10 ~ +40℃；存储 -30 ~ +70℃
资料来源 Sapphire《Spec_ SI-200.pdf》
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* Specifications are subject to change without notice.