SiC 及IGBT 动态斩波双脉冲测试实验及其注意事项
详细了解IGBT各项参数，如Eon, Eoff, Tdon, Tdoff, Tr, Tf，芯片开关特性等，此项测试的意义是验证datasheet中各项参数值以及对不同模块的性能评估。
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双脉冲动态测试系统中，探头应该如何选择？
双脉冲测试是评估功率半导体器件动态特性的重要手段，包括MOSFET、IGBT等。拥有一套双脉冲测试平台是获得正确评估结果的第一步，除了基础设备测试板、电源、信号发生器、电感、示波器等，本文重点介绍探头部分，看完可以对探头选型有一个清晰的认识。
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IWATSU岩崎SS-660P 系列是唯一可直接测试TO247-4 器件开关参数的高频罗氏电流探头
TO247-4 引脚封装的一个特殊特性是采用 4 引脚连接到门极驱动器 芯片；第 4 根引脚消除了栅极控制回路上发射极引脚高频杂散电感的影响，从而使 IGBT 能够更快地响应驱动 Ice 电流信号。SiC IGBT或MOSFET 更快速的响应降低了开关能量损耗，并且能够以更快的速度打开/关断开关。
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GaN 器件双脉冲实验中负电流问题
验证我们结论 用差分探头测量 Uge 电压，因为差分探头负极隔离，这样避免了因为共地形成的回路产生负电流。
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罗氏线圈与同轴分流器优劣势对比
双脉冲动态测试中电流探头应该选择同轴分流器还是罗氏线圈，并没有一个完美的标准答案，根据自己的测试考虑更侧重哪个指标，或者测试环境安装条件等因素。两者同时使用并无干绕，还可以互相佐证
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T&M无感同轴分流器用于双脉冲Ids电流测试的选型建议指南
同轴分流器本质上来说就是一个很小的电阻，通过欧姆定律来测量电流，一般用于测量脉冲大电流。在不同的测量场景下，要选择适合的同轴分流器。选型主要是从以下几方面去考虑
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高共模干扰环境下电压测量解决方案-光隔离探头（背景篇）
这些年随着新能源异军突起，光伏、风力发电、电动汽车、交通运输等领域的电力电子半导体器件得到了快速的发展，在技术上电力电子器件向着更高的电压，更快的开关频率，以及更低的损耗方面发展，随之而来的由高压，高频的技术所带来的问题在研发时也越来越棘手。由于开关器件工作时的高频/高压所导致的复杂的电磁场环境，在电子测量领域也面临着越来越严重共模干扰信号的影响，那么在高压/高频的环境下我们要怎样保证测量的准确性呢？
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PMK-Bumblebee高压差分探头的偏置功能的应用
两次测试结果对比，很明显感觉到我们Bumblebee差分探头的偏置功能所带来的好处。像我们在功率器件的实际应用中，开通和关断电压都是在0V到母线电压之间变化，对于尖峰过冲我们留有一定裕量就可以了，而对于一般的差分探头负值的动态范围在开关器件应用中使用意义不大。正好我们Bumblebee就可以通过偏置功能，将负值的动态范围扩展成探头的正值电压的测量范围，这样我们在保证足够的动态范围情况下用小量程的挡位去测量可以保证我们的测量精度。
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罗氏线圈电流探头的低频特性及下降特性
罗氏线圈电流探头从原理上来看，是无法进行直流测试的。所以具有在低频下检测灵敏度下降的特性。通常来说，将检测灵敏度降到-3dB的时候设定为低频截断频率。受此低频特性的影响，在测试包含有低频成分的信号时，实际电流与罗氏探头所测得的结果会有一定的差异，在使用时务必注意。各机型的低频截断频率及下降特性的指标与低频截断频率相关联的另一个低频特性的指标是《下降特性（Droopping）》。这里所指的下降特性是指对步进式脉冲波测试时的特性，基本指标值如下表.1所示。
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SiC双脉冲测试最佳选择之光隔离探头典型应用
众所周知，双脉冲测试是目前了解SiC动态参数特性的最佳手段。而光隔离探头又是测量VGS的最佳选择。特别是在测量上管VGS时，挑战最大。 现阶段SiC MOSFET器件的Vgs(th)大部分在2-3V内，加上其开关速度快、工作电压高，其误导通的风险往往比Si MOSFET和IGBT更高，需要引起足够的重视。
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