高共模干扰环境下电压测量解决方案-光隔离探头（背景篇）
这些年随着新能源异军突起，光伏、风力发电、电动汽车、交通运输等领域的电力电子半导体器件得到了快速的发展，在技术上电力电子器件向着更高的电压，更快的开关频率，以及更低的损耗方面发展，随之而来的由高压，高频的技术所带来的问题在研发时也越来越棘手。由于开关器件工作时的高频/高压所导致的复杂的电磁场环境，在电子测量领域也面临着越来越严重共模干扰信号的影响，那么在高压/高频的环境下我们要怎样保证测量的准确性呢？
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核磁共振 MRI（高精度直流测量）
在MRI系统中，梯度放大器单元是指与梯度磁场有关的一切电路单元。其功能是系统提供线性度满足要求的，可快速开关的梯度场，决定层面位置和成像层面度；梯度线圈的线性是衡量梯度场平稳性的指标。
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易忽略的探头使用误区
对于经常操作示波器的人来说，使用探头是必不可少的。有些人使用体验很好，有些人使用效果却不尽如人意。
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磁通门&霍尔电流传感器有什么区别？
霍尔电流传感器是通过霍尔芯片感应外部磁场来实现对电流检测测，感应芯片容易受外部环境的干扰，产生较大的零漂和温漂，并且，其需要对磁芯进行开口切割，通过磁芯气隙中磁通量的变化来进行电流测量，开口气隙的存在，决定了霍尔电流传感器在测量精度和抗干扰能力上存在着天生缺陷。磁通门电流传感是通过经典控制理论来实现对电流检测，而不是通过常规的芯片感应来实现，对外部环境不敏感，基本没有温漂和零漂，其磁芯无需开口切割，磁阻小，磁通稳定度高，传感器检测精度高，灵敏度高，响应速度快。
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IWATSU岩崎SS-660P 系列是唯一可直接测试TO247-4 器件开关参数的高频罗氏电流探头
TO247-4 引脚封装的一个特殊特性是采用 4 引脚连接到门极驱动器 芯片；第 4 根引脚消除了栅极控制回路上发射极引脚高频杂散电感的影响，从而使 IGBT 能够更快地响应驱动 Ice 电流信号。SiC IGBT或MOSFET 更快速的响应降低了开关能量损耗，并且能够以更快的速度打开/关断开关。
浏览次数：327IWATSU岩崎SS-660P 系列是唯一可直接测试TO247-4 器件开关参数的高频罗氏电流探头
TO247-4 引脚封装的一个特殊特性是采用 4 引脚连接到门极驱动器 芯片；第 4 根引脚消除了栅极控制回路上发射极引脚高频杂散电感的影响，从而使 IGBT 能够更快地响应驱动 Ice 电流信号。SiC IGBT或MOSFET 更快速的响应降低了开关能量损耗，并且能够以更快的速度打开/关断开关。
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PPM级电流精度测量方式--磁通门
磁通门传感器是利用被测磁场中高导磁率磁芯在交变磁场的饱和激励下，其磁感应强度与磁场强度的非线性关系来测量弱磁场的。这种物理现象对被测环境磁场来说好像是一道“门”，通过这道“门”，相应的磁通量即被调制，并产生感应电动势。利用这种现象来测量电流所产生的磁场，从而间接的达到测量电流的目的。
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磁通门传感器是利用被测磁场中高导磁率磁芯在交变磁场的饱和激励下，其磁感应强度与磁场强度的非线性关系来测量弱磁场的。这种物理现象对被测环境磁场来说好像是一道“门”，通过这道“门”，相应的磁通量即被调制，并产生感应电动势。利用这种现象来测量电流所产生的磁场，从而间接的达到测量电流的目的。
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磁通门传感器是利用被测磁场中高导磁率磁芯在交变磁场的饱和激励下，其磁感应强度与磁场强度的非线性关系来测量弱磁场的。这种物理现象对被测环境磁场来说好像是一道“门”，通过这道“门”，相应的磁通量即被调制，并产生感应电动势。利用这种现象来测量电流所产生的磁场，从而间接的达到测量电流的目的。
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GaN 器件双脉冲实验中负电流问题
验证我们结论 用差分探头测量 Uge 电压，因为差分探头负极隔离，这样避免了因为共地形成的回路产生负电流。
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